Диод типа металл-изолятор-металл (metal-insulator-metal – MIM) использует квантово-механический эффект: туннелирование электронов сквозь очень тонкий слой диэлектрика.
Столь простой бутерброд (два металла и нанометровый слой изолятора между ними) может революционизировать электронику,–полагают авторы новой работы (иллюстрация Oregon State University, Advanced Materials).
"Исследователи пытались сделать такой прибор на протяжении десятилетий, до сих пор без успеха",–говорит один из авторов работы Дуглас Кеслер (Douglas Keszler). Он поясняет, что MIM-диоды, созданные в других лабораториях, не радовали высокой производительностью.
Между тем сам по себе диод такого типа перспективен. Он может сочетать высокую скорость работы (электроны туннелируют мгновенно) и низкую цену. Со слов Кеслера, потенциально схемы на основе диодов MIM могут быть даже дешевле, чем нынешние чипы на базе кремния.
Ключом к новой вариации MIM-диода стало применение тонкого слоя аморфного металла в качестве контакта. Этот слой образует с диэлектриком бесшовное и плотное соединение буквально на атомарном уровне, так что электроны получают возможность беспрепятственно перепрыгивать через"барьер".
Американские физики говорят, что технология совместима с легкодоступными металлами (медью, никелем, алюминием). При этом возможна печать новых схем на крупных подложках из разного материала. Детали исследования раскрываетстатьяв Advanced Materials ипресс-релизOSU. (Читайте также о диоде из одной молекулы и памяти на дефектах в кремнии.)
Источник:ScienceDaily
Комментариев нет:
Отправить комментарий